UMH10NTN
fabbricante:
Semiconduttore Rohm
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
2 NPN - Pre-biasato (doppia)
Frequenza - Transizione:
250 MHz
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
UMT6
Resistenza - Base (R1):
2.2 kOhms
Mfr:
ROHM Semiconductor
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
47 kOhms
Corrente - limite del collettore (massimo):
500nA
Potenza - Max:
150 mW
Confezione / Cassa:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
80 @ 10mA, 5V
Numero del prodotto di base:
UMH10
Introduzione
Transistor Bipolare Pre-Biased (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
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Di riserva:
MOQ: