FF300R12KS4
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
Na 400
Categoria di prodotto:
Moduli di IGBT
Temperatura minima di funzionamento:
- 40 C.
Distanze:
106.4 mm
Corrente di collettore continua a 25 C:
370 A
Stile dell'installazione:
Montaggio del telaio
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1200 V
Confezione / Cassa:
62 millimetri
Quantità d'imballaggio della fabbrica:
10
Temperatura massima di funzionamento:
+ 125 C
Altezza:
30.9 mm
pacchetto:
Scaffale
Tecnologia:
Si
Dissipazione di potenza Pd:
1950 W
Configurazione:
Doppia
Larghezza:
61.4 mm
Tensione massima della porta/emettitore:
20 V
Marchio:
Infineon Technologies
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
3,75 V
Prodotto:
Moduli del silicio di IGBT
Produttore:
Infineon Technologies
Introduzione
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