NJVMJD31CT4G
fabbricante:
ONSEMI
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
NPN
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
100 V
Confezione / Cassa:
DPAK-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Serie:
MJD31
Tensione emittenta-base VEBO:
5 V
Produttore:
semi
Introduzione
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