DZT5551-13
fabbricante:
Diodi incorporati
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
NPN
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Corrente CC massima del collettore:
600 mA
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
160 V
Confezione / Cassa:
SOT-223-4
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Prodotto fT di larghezza di banda di guadagno:
300 MHz
Configurazione:
Non sposato
Tensione di base VCBO del collettore:
180 V
Serie:
DZT5551
Tensione emittenta-base VEBO:
6 V
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
200 sistemi MV
Produttore:
Diodi incorporati
Introduzione
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