AUIRG4PH50S
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
57 A
Pd - Dissipazione di potenza:
200 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1,2 chilovolt
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 20 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
1.7 V
Produttore:
Infineon Technologies
Introduzione
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