FGA25N120ANTD
fabbricante:
ONSEMI
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
+/- 250 nA
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
50 A
Pd - Dissipazione di potenza:
312 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1200 V
Confezione / Cassa:
TO-3P-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 20 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2 V
Produttore:
semi
Introduzione
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