IXGH6N170A
fabbricante:
IXYS
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
Na 100
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
6 A
Pd - Dissipazione di potenza:
75 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1,7 chilovolt
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 20 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
5,4 V
Produttore:
IXYS
Introduzione
Il IXGH6N170A,di IXYS,è IGBT Transistor.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Prodotti correlati
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: