STGWA60H65DFB
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
Transistor IGBT IGBT e bipolari di potenza
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
250 nA
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
80 A
Pd - Dissipazione di potenza:
375 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
650 V
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 20 V
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2 V
Produttore:
STMicroelettronica
Introduzione
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