FGA20N120FTDTU
fabbricante:
Fairchild Semiconductor
Descrizione:
IGBT Transistor 1200V N-Chan Trench
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1200 V
Confezione / Cassa:
TO-3PN-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 25 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Introduzione
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