NGB8207BNT4G
fabbricante:
Littelfuse
Descrizione:
Transistor IGBT GEN3 IGBT D2PAK 350V TR
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pd - Dissipazione di potenza:
165 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
365 V
Confezione / Cassa:
D2PAK
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
imballaggio:
Rilo
Tensione massima dell'emettitore del portone:
15 V
Corrente di collettore continua a 25 C:
20 A
Produttore:
Littelfuse
Introduzione
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