MJD122T4G
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
Transistori Darlington 8A 100V Potenza bipolare NPN
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
NPN
Categoria di prodotto:
Darlington Transistors
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Corrente CC massima del collettore:
8 A
Pd - Dissipazione di potenza:
20 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
100 V
Confezione / Cassa:
TO-252-3 (DPAK)
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
imballaggio:
Rilo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di base VCBO del collettore:
100 V
Serie:
MJD122
Corrente di taglio massima del collettore:
10 uA
Tensione emittenta-base VEBO:
5 V
Produttore:
semi
Introduzione
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