THGBMDG5D1LBAIL
fabbricante:
Toshiba
Descrizione:
Memoria flash 4GB NAND EEPROM
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
Memoria flash
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Confezione / Cassa:
WFBGA-153
Tensione di alimentazione - Max:
3.6 V
Dimensione della memoria:
4 GB
imballaggio:
Scaffale
Tensione di alimentazione - Min:
2,7 V
Tipo di memoria:
NAND
Intervallo di temperatura di funzionamento:
- 25 C + a 85 C
Produttore:
Toshiba
Introduzione
Il THGBMDG5D1LBAIL,di Toshiba,è una memoria flash.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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