K4B4G1646D-BCMA
fabbricante:
Semiconduttore Samsung
Descrizione:
4Gb B-dado DDR3 SDRAM Olny x16
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Densità:
4 GB
Categoria di prodotto:
IC di memoria
imballaggio:
Scaffale
Voltaggio:
1,5 V
pacchetto:
FBGA-96
temp.:
0 ~ 85 °C
Org:
256M x 16
RoHS:
Verde disponibile
Status del prodotto:
Fabbricazione in serie
Velocità:
1866 Mbps
Produttore:
semiconduttore di Samsung
Introduzione
Il K4B4G1646D-BCMA,di Samsung semiconduttore, è memoria IC. quello che offriamo hanno un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
Per le persone che non hanno accesso a tali servizi, l'autorizzazione è concessa.
Memory IC
K4B2G1646F-BCK0
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K4H511638J-LCCC
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1
1Gb E-die NAND Flash
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Graphic Memory
K4T1G084QF-BCF7
1Gb F-die DDR2 SDRAM
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
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K4S641632K-UC60 |
64Mb K-die SDRAM
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Classificazione di tali prodotti: |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
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K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
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Per le persone che non hanno accesso a tali servizi, l'autorizzazione è concessa. |
Memory IC
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K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
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K4H511638J-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
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1Gb E-die NAND Flash
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K4W1G1646E-HC12 |
Graphic Memory
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K4T1G084QF-BCF7 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM
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MOQ: