EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
fabbricante:
Tecnologia Micron
Descrizione:
IC DRAM 4G PARALLEL 533 MHz
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR2 mobile
Categoria di prodotto:
IC di memoria
Tipo di memoria:
Volatile
Stoccaggio di fabbrica:
0
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
-
Tempo di accesso:
-
Formato di memoria:
DRAM
Status della parte:
Attivo
Dimensione della memoria:
4Gb (128M x 32)
imballaggio:
-
@ qty:
0
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 105°C (TC)
Quantità minima:
2100
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Confezione / Cassa:
-
Tipo di montaggio:
-
Frequenza dell'orologio:
533MHz
Voltaggio - Fornitura:
1.14 V ~ 1.95 V
Serie:
-
Produttore:
Tecnologia Micron
Introduzione
L'EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D,di Micron Technology,è un circuito integrato di memoria.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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