W631GU6MB12I
fabbricante:
Winbond Electronics
Descrizione:
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Tecnologia:
-
Categoria di prodotto:
IC di memoria
Tipo di memoria:
-
Stoccaggio di fabbrica:
0
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
-
Tempo di accesso:
-
Formato di memoria:
-
Status della parte:
Attivo
Dimensione della memoria:
-
imballaggio:
-
@ qty:
0
Temperatura di funzionamento:
-
Quantità minima:
198
Interfaccia della memoria:
-
Confezione / Cassa:
-
Tipo di montaggio:
-
Frequenza dell'orologio:
-
Voltaggio - Fornitura:
-
Produttore:
Winbond Electronics
Introduzione
Il W631GU6MB12I, di Winbond Electronics, è un circuito integrato di memoria. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Prodotti correlati
W25Q128JVSIM
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
W631GG6KB-12
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
W9425G6KH-5
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
W25X40CLSNIG
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q64JVSSIQ
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
W9825G6KH-6
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
W9751G6KB25I
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W25Q80DVSSIG
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q16JVSSIQ
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
W25Q128JVSIM |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W631GG6KB-12 |
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
|
|
|
|
W9425G6KH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
|
|
|
|
W25X40CLSNIG |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q64JVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
|
|
|
W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W25Q80DVSSIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q16JVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
|
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: