TK10A60D
fabbricante:
Toshiba
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
±30V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
10A (tum)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
25nC @ 10V
Produttore:
Toshiba
Quantità minima:
2500
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
π-MOSVII
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1350 pF @ 25V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220SIS
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Tubo
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
750 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potere (massima):
45W (TC)
Confezione / Cassa:
Pacchetto completo TO-220-3
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
600 V
Introduzione
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