FQD1N80TM
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
±30V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
1A (Tc)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
7.2nC @ 10V
Produttore:
semi
Quantità minima:
2500
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
QFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
195pF @ 25V
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-PAK
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
20 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potere (massima):
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
800 V
Introduzione
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