IRLHS6342TRPBF
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
±12V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
8.7A (Ta), 19A (Tc)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
11nC @ 4,5V
Produttore:
Infineon Technologies
Quantità minima:
4000
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
2.5V, 4.5V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1019pF @ 25V
Confezione del dispositivo del fornitore:
6-PQFN (2x2)
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Dissipazione di potere (massima):
2.1W (Ta)
Confezione / Cassa:
6-PowerVDFN
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.1V @ 10µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Introduzione
L'IRLHS6342TRPBF,di Infineon Technologies,è un MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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