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ZXMN2A01FTA

fabbricante:
Diodi incorporati
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
±12V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
1.9A (tum)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
3nC @ 4,5V
Produttore:
Diodi incorporati
Quantità minima:
3000
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
2.5V, 4.5V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
303pF @ 15V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120 mOhm @ 4A, 4,5 V
Dissipazione di potere (massima):
625mW (tum)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
700mV a 250µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
20V
Introduzione
La ZXMN2A01FTA, di Diodes Incorporated, è MOSFET. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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