DMG7430LFG-7
fabbricante:
Diodi incorporati
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 10,5A PWRDI3333
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
± 20V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
10.5A (tum)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
26.7nC @ 10V
Produttore:
Diodi incorporati
Quantità minima:
2000
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1281pF @ 15V
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerDI3333-8
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potere (massima):
900mW (tum)
Confezione / Cassa:
8-PowerWDFN
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Introduzione
Il DMG7430LFG-7, di Diodes Incorporated, è MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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