FDN352AP
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
±25V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
1.3A (tum)
@ qty:
0
Tipo di FET:
P-Manica
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
1.9nC @ 4,5V
Produttore:
semi
Quantità minima:
3000
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
PowerTrench®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
150 pF @ 15V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SuperSOT-3
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
180 mOhm @ 1.3A, 10V
Dissipazione di potere (massima):
500mW (tum)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Introduzione
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