IPW60R037CSFD
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
Potenza elevata_nuova
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
Canale N
Categoria di prodotto:
MOSFET
Tempo di ritardo d'apertura tipico:
53 ns
Sottocategoria:
MOSFETs
Dissipazione di potenza Pd:
245 W
tensione di sorgente Vgs-gate:
-20 V, +20 V
Temperatura minima di funzionamento:
-55 C
pacchetto:
Tubo
Tempo di caduta:
6 ns
Produttore:
Infineon Technologies
Quantità di imballaggio di fabbrica:
240
Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori:
196 ns
Configurazione:
Non sposato
Tipo di prodotto:
MOSFET
Temperatura di lavoro massima:
+ 150 C
Tempo di aumento:
30 ns
Numero di canali:
1 canale
Marchio:
Infineon Technologies
Carica Qg-gate:
136 d.C.
Id - corrente di scarico continua:
54 A
Tipo di transistor:
1 canale N
Stile dell'installazione:
Attraverso il buco
Pacchetto/scatola:
TO-247-3
Modo di Manica:
Potenziamento
Tecnologia:
Si
Tensione di rottura della fonte Vds-Drain:
650 V
Rds On-Drain-source sulla resistenza:
37 mOhms
Vgs th- tensione di soglia della sorgente di porta:
3,5 V
Introduzione
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