IRL7472L1TRPBF
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 375A
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
± 20V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
375A (Tc)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
330nC @ 4,5V
Produttore:
Infineon Technologies
Quantità minima:
4000
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
StrongIRFETTM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
20082pF @ 25V
Confezione del dispositivo del fornitore:
Direttiva L8
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
0.59 mOhm @ 195A, 10V
Dissipazione di potere (massima):
3.8W (Ta), 341W (Tc)
Confezione / Cassa:
DirectFETTM L8 isometrico
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Introduzione
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