FDMS037N08B
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
± 20V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
100A (TC)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
100nC @ 10V
Produttore:
semi
Quantità minima:
3000
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
PowerTrench®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
5915pF @ 37,5V
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-PQFN (5x6)
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potere (massima):
830 mW (Ta), 104,2 W (Tc)
Confezione / Cassa:
8-PowerTDFN
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
75V
Introduzione
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