BSG0811ND
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
MOSFETTI MOSFETTI differenziati
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
Canale N
Tecnologia:
Si
Identificazione - corrente continua dello scolo:
50 A, 50 A
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Temperatura minima di funzionamento:
- 55 C
Confezione / Cassa:
TISON-8
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Modo di Manica:
Potenziamento
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:
25 V, 25 V
imballaggio:
Rilo
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte:
1.2 V, 1.2 V
Categoria di prodotto:
MOSFET
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:
20,4 mOhms, 700 uOhms
Numero di canali:
2 Canale
Vgs - tensione di Portone-fonte:
16 V, 16 V
Qg - tassa del portone:
8.4 nC, 29 nC
Produttore:
Infineon Technologies
Introduzione
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