SQ2361ES-T1_GE3
fabbricante:
Siliconix/Vishay
Descrizione:
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualificato
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
P-Manica
Tecnologia:
Si
Identificazione - corrente continua dello scolo:
- 2,8 A
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Temperatura minima di funzionamento:
- 55 C
Confezione / Cassa:
SOT-23-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Modo di Manica:
Potenziamento
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:
- 60 V
imballaggio:
Rilo
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte:
- 2,5 V
Categoria di prodotto:
MOSFET
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:
0.13 Ohm
Numero di canali:
1 canale
Vgs - tensione di Portone-fonte:
+/- 20 V
Qg - tassa del portone:
12 n.C.
Produttore:
Siliconix / Vishay
Introduzione
L'SQ2361ES-T1_GE3, di Siliconix/Vishay, è MOSFET. Ciò che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Related Products
SQJ974EP-T1_GE3
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR871DP-T1-GE3
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
SUM70060E-GE3
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR680DP-T1-RE3
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
SUM10250E-GE3
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
SI7972DP-T1-GE3
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
SUM90P10-19L-E3
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
SQJ974EP-T1_GE3 |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR871DP-T1-GE3 |
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
|
|
|
|
SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
|
|
|
|
SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR680DP-T1-RE3 |
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
|
|
|
|
SUM10250E-GE3 |
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
|
|
|
|
SI7972DP-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
|
|
|
|
SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
|
|
|
|
SUM90P10-19L-E3 |
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
|
|
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: