IPB35N10S3L-26
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
MOSFET N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Polarità del transistor:
Canale N
Tecnologia:
Si
Identificazione - corrente continua dello scolo:
35 A
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Marca:
OptiMOS
Temperatura minima di funzionamento:
- 55 C
Confezione / Cassa:
TO-263-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Modo di Manica:
Potenziamento
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:
100 V
imballaggio:
Rilo
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte:
1.2 V
Categoria di prodotto:
MOSFET
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:
20.3 mOhms
Numero di canali:
1 canale
Vgs - tensione di Portone-fonte:
20 V
Qg - tassa del portone:
39 n.C.
Produttore:
Infineon Technologies
Introduzione
L'IPB35N10S3L-26, di Infineon Technologies, è MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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