BSC0702LS
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
MOSFET N-CH 8TDSON
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Dissipazione di potenza (massima):
83W (TC)
Sulla resistenza a Id e Vgs diversi (massimo):
20,3 milliohm @ 50A, 10V
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs(th) (massimo) per diversi Id:
2.3V @ 49μA
Vgs (massimo):
± 20V
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Tipo di installazione:
Tipo di superficie del supporto
carica del cancello (Qg) (massimo) a Vgs diversi:
30nC @ 4,5V
Tipo di FET:
Canale di N
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Funzione FET:
Norme
tensione di Scolo-fonte (Vdss):
60 V
Capacità di ingresso (Ciss) (massimo) a Vds diversi:
4400pF @ 30V
Corrente a 25°C - scarico continuo (Id):
100A (TC)
Imballaggio del dispositivo del fornitore:
SuperSO8
Imballaggio/conchiglia:
8-PowerTDFN
Produttore:
Infineon Technologies
Introduzione
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