IPB031N08N5ATMA1
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V TO263-3
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
± 20V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
120A (TC)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
87nC @ 10V
Produttore:
Infineon Technologies
Quantità minima:
1000
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
6V, 10V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
OptiMOS™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
6240pF @ 40V
Confezione del dispositivo del fornitore:
² PAK (TO-263AB) DI D
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potere (massima):
167W (TC)
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.8V @ 108μA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
80 V
Introduzione
L'IPB031N08N5ATMA1,di Infineon Technologies,è un MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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