DMT6016LSS-13
fabbricante:
Diodi incorporati
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
± 20V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
9.2A (Ta)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
17nC @ 10V
Produttore:
Diodi incorporati
Quantità minima:
2500
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Factory Stock:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
864pF @ 30V
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-SO
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
18 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potere (massima):
1.5W (tum)
Confezione / Cassa:
8-SOIC (0.154" , larghezza di 3.90mm)
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Introduzione
Il DMT6016LSS-13, di Diodes Incorporated, è MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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