SI4816BDY-T1-GE3
fabbricante:
Vishay Semiconduttori
Descrizione:
MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Tecnologia:
Si
Categoria di prodotto:
MOSFET
Marca:
TrenchFET
Confezione / Cassa:
SO-8
imballaggio:
Rilo
Produttore:
Vishay Semiconduttori
Introduzione
Il SI4816BDY-T1-GE3, di Vishay Semiconductors, è MOSFET. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Related Products
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
Si1022R-T1-GE3
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
SUM110P08-11L-E3
MOSFET 80V 110A 375W
SIHG73N60E-GE3
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
IRFPS37N50APBF
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
SIR462DP-T1-GE3
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
SI2333DS-T1-E3
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
|
|
|
|
Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
|
|
|
|
SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
|
|
|
|
SIHG73N60E-GE3 |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
|
|
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
|
|
|
|
IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
|
|
|
|
SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
|
|
|
|
SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
|
|
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
|
|
|
|
SI2333DS-T1-E3 |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
|
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: