IRFB3006GPBF
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
± 20V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
195A (TC)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
300nC @ 10V
Produttore:
Infineon Technologies
Quantità minima:
1000
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
8970pF @ 50V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220AB
Status della parte:
Non per nuovi disegni
imballaggio:
Tubo
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.5 mOhm @ 170A, 10V
Dissipazione di potere (massima):
375W (TC)
Confezione / Cassa:
TO-220-3
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Introduzione
L'IRFB3006GPBF,di Infineon Technologies,è MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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