FDD7N20TM
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
±30V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
5A (TC)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
6.7nC @ 10V
Produttore:
semi
Quantità minima:
2500
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Stoccaggio di fabbrica:
5000
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
UniFETTM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
250 pF @ 25V
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-PAK
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
690 mOhm @ 2,5A, 10V
Dissipazione di potere (massima):
43W (Tc)
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
200 V
Introduzione
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