STH315N10F7-2
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
± 20V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
180A (TC)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
180nC @ 10V
Produttore:
STMicroelettronica
Quantità minima:
1000
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
Automotive, AEC-Q101, DeepGATETM, STripFETTM VII
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
12800pF @ 25V
Confezione del dispositivo del fornitore:
H2Pak-2
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.3 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potere (massima):
315W (Tc)
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
100 V
Introduzione
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