BSS169H6327XTSA1
fabbricante:
Tecnologie Infineon
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
± 20V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
170mA (tum)
@ qty:
0
Tipo di FET:
Canale N
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
2.8nC @ 7V
Produttore:
Infineon Technologies
Quantità minima:
3000
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
0V, 10V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica del FET:
Modalità di esaurimento
Serie:
SIPMOS®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
68pF @ 25V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6 Ohm @ 170mA, 10V
Dissipazione di potere (massima):
360mW (tum)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.8V @ 50μA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
100 V
Introduzione
Il BSS169H6327XTSA1,di Infineon Technologies,è un MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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