FDV302P
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Categoria:
Semiconduttori
Specifiche
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
±8V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
120mA (tum)
@ qty:
0
Tipo di FET:
P-Manica
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
0.31nC @ 4,5V
Produttore:
semi
Quantità minima:
3000
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
2.7V, 4.5V
Stoccaggio di fabbrica:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
11pF @ 10V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10 Ohm @ 200mA, 4,5 V
Dissipazione di potere (massima):
350mW (tum)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
25 V
Introduzione
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