VS-8EWF12S-M3
fabbricante:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli
Status del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 8 A
pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-252, (D-Pak)
Tempo di recupero inverso (trr):
270 ns
Mfr:
Generale semiconduttore - divisione di Vishay dei diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-40°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
8EWF12
Introduzione
Diodo 1200 V 8A montato in superficie TO-252, (D-Pak)
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| Immagine | parte # | Descrizione | |
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