RFN1L6STE25
fabbricante:
Semiconduttore Rohm
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.45 V @ 800 mA
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DSPM
Tempo di recupero inverso (trr):
35 ns
Mfr:
ROHM Semiconductor
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
DO-214AC, SMA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
800mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
RFN1L6
Introduzione
Diodo 600 V 800 mA PMDS di montaggio superficiale
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: