PMV20ENR
fabbricante:
Nexperia USA Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250μA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
10.8 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
21 mOhm @ 6A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
435 pF @ 15 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
6A (tum)
Dissipazione di potere (massima):
510 mW (Ta), 6,94 W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
PMV20
Introduzione
N-Canale 30 V 6A (Ta) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Montatura di superficie TO-236AB
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