PMV40UN2R
fabbricante:
Nexperia USA Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
900mV a 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
44mOhm @ 3,7A, 4,5V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
1.8V, 4.5V
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±12V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
635 pF @ 15 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
3.7A (tum)
Dissipazione di potere (massima):
490 mW (Ta)
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
PMV40UN2
Introduzione
N-canale 30 V 3.7A (Ta) 490mW (Ta) Montatura di superficie TO-236AB
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