SI3458BDV-T1-GE3
fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
100 mOhm @ 3.2A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
350 pF @ 30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
6-TSOP
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
4.1A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
2W (Ta), 3,3W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SI3458
Introduzione
N-canale 60 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Superficie montata 6-TSOP
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