SI7137DP-T1-GE3
fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
PowerPAK® SO-8
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
585 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.95mOhm @ 25A, 10V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
2.5V, 10V
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
20000 pF @ 10 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
60A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SI7137
Introduzione
P-canale 20 V 60A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
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