PMXB120EPEZ
fabbricante:
Nexperia USA Inc.
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
3-XDFN Pad esposto
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 2.4A, 10V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
309 pF @ 15 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DFN1010D-3
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
2.4A (tum)
Dissipazione di potere (massima):
400 mW (Ta), 8,3 W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
PMXB120
Introduzione
P-Canale 30 V 2.4A (Ta) 400mW (Ta), 8.3W (Tc) Monte di superficie DFN1010D-3
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