SI2319DDS-T1-GE3
fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
19 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
75 mOhm @ 2,7A, 10V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
650 pF @ 20 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET® Gen III
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
1W (tum), 1.7W (TC)
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SI2319
Introduzione
P-Canale 40 V 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Montatura di superficie SOT-23-3 (TO-236)
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