SIR681DP-T1-RE3
fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Tipo di FET:
P-Manica
Caratteristica del FET:
-
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.6V @ 250µA
Serie:
TrenchFET® Gen IV
Vgs (Max):
± 20V
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
105 nC @ 10 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11.2mOhm @ 10A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
4850 pF @ 40 V
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
80 V
Dissipazione di potere (massima):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Confezione / Cassa:
PowerPAK® SO-8
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SIR681
Introduzione
P-Canale 80 V 17,6A (Ta), 71,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
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