IXXN110N65B4H1
fabbricante:
IXYS
Descrizione:
IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
IGBTs
IGBT Modules
Current - Collector (Ic) (Max):
215 A
Product Status:
Active
Mounting Type:
Chassis Mount
Package:
Tube
Series:
XPT™, GenX4™
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 110A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
650 V
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - limite del collettore (massimo):
50µA
IGBT Type:
PT
Potenza - Max:
750 W
Input:
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce:
3.65 nF @ 25 V
Configuration:
Single
NTC Thermistor:
No
Base Product Number:
IXXN110
Introduzione
Modulo IGBT PT singolo 650 V 215 A 750 W montatura del telaio SOT-227B
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: