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STB120NF10T4

fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
233 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.5mOhm @ 60A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5200 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
STripFET™ II
Supplier Device Package:
D2PAK
Mfr:
STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
110A (Tc)
Power Dissipation (Max):
312W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
STB120
Introduzione
N-canale 100 V 110A (Tc) 312W (Tc) D2PAK
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Di riserva:
MOQ: