Invia messaggio

NX7002BKMYL

fabbricante:
Nexperia USA Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.1V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SC-101, SOT-883
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.8Ohm @ 200mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
23.6 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchMOS™
Supplier Device Package:
SOT-883
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
350mA (Ta)
Power Dissipation (Max):
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
NX7002
Introduzione
N-Canale 60 V 350mA (Ta) 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Montatura di superficie SOT-883
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: