FDC658P
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
50mOhm @ 4A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
750 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Serie:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
SuperSOT™-6
Mfr:
ONSEMI
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4A (Ta)
Dissipazione di potere (massima):
1.6W (tum)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDC658
Introduzione
P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Superficie montata SuperSOTTM-6
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Di riserva:
MOQ: