DMTH6016LPSQ-13
fabbricante:
Diodi incorporati
Descrizione:
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Categoria:
Prodotti a semiconduttori discreti
Specifiche
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
17 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
16mOhm @ 20A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
± 20V
Product Status:
Active
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
864 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101
Supplier Device Package:
PowerDI5060-8
Mfr:
Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
9.8A (Ta), 37A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
DMTH6016
Introduzione
N-canale 60 V 9.8A (Ta), 37A (Tc) 2.6W (Ta), 37.5W (Tc) Potenza di montaggio di superficieDI5060-8
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